电动车仪表盘容易坏，或许跟采用的MOS管质量有关

现阶段我国市场上电动车早已愈来愈多，其环境保护的特征也获得了我国的认同，而且有替代汽柴油代步工具的发展趋势，电动车也跟别的代步工具一样，仪表盘上边体现汽车各系統运行情况，具有了不可或缺的功效，而跟仪表盘电路原理所采用的MOS管可能危害到仪表盘的质量。

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怎样为MOS管挑选最适用的驱动电路？

在电源开关等供电系统设计方案中，方案设计人员会更多关注MOS管的多个主要参数，如通断电阻器、较大工作电压、较大电流量。这种要素虽然关键，考虑到不当之处会使电源电路没法正常的工作中，但其实这只完成了第一步，MOS管自身的寄生参数才算是危害电源电路的重要之处。

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电源烧毁易引发事故，需采用优质MOS管设计过流保护电路

电源作为电子设备的配电元器件，除开特性要考虑供电系统设备的规定以外，其自己的防护措施也很重要，如过电流、过电压、超温维护等。一旦电源没有过流保护设计方案，在输出短路故障或过载的时候会造成电源损坏，也有很有可能进一步造成电子设备毁坏，乃至造成实际操作工作人员的触电事故及火情等安全事故，而电源的过流保护跟使用的MOS管相关...

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MOS管驱动电路需求

当应用5V开关电源，此刻假如采用传统式的图腾柱构造，因为三极管的be仅有0.7V上下的损耗，造成 具体最后载入gate上的电压仅有4.3V，此刻，大家采用允差gate电压4.5V的MOS管就存有一定的风险性。一样的情况也出现在应用3V或是别的低压开关电源的场所。

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绝缘层栅型场效应管的认识

绝缘层栅型场效应管别名MOS管（下称MOS管），它的栅压和源漏极中间有一层二氧化硅的电缆护套。

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如何判断MOS管的好坏?

分辨MOS管优劣的办法有二种： 第一种：定性分辨MOS管的优劣 先用万用表R×10kΩ挡(内嵌有9V或15V充电电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极中间电池充电，这时万用表表针有轻度偏转。再改成万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表标示值若为几欧母，则表明MOS管是好的。...

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解决MOS管发热严重的思路

解决MOS管发热严重的思路

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MOS管在电路中的作用

MOS管在开关电路里面起到的作用就是控制电路的通断和信号的转换。MOS管大致可分为两大类：N沟道和P沟道。 在N沟道MOS管电路里，BEEP引脚是高电平就可以导通使得蜂鸣器响应，低电平则是关闭蜂鸣器。P沟道MOS管来控制GPS模块电源的通断，GPS_PWR引脚是低电平的时候导通，GPS模块则正常地供电，高电平时使得GPS...

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带你了解MOS管

mos管，是在集成电路里的带有绝缘性的场效应管。MOS 管作为半导体领域最基础的器件之一，不管是在板级电路的应用上，还是IC的设计里，都十分广泛。MOS管的drain和source是可以相互调换过来的的，都是在P型backgate里形成的一个N型区。在普遍的情况下，这两个区都是相同的，就算这两段相互调换过来也是不会去影响到器件的性能。所以这器...

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场效应管基本的识别与测试

场效应管的栅极也就是晶体管的那个基极，漏极和源极分别是对应晶体管的集电极和发射极。把万用表调到R×1k档，用两表笔分别去测量两个管脚间的正向电阻和反向电阻。当某两个管脚间的正向电阻=反向电阻=KΩ的时候，也就是这两个管脚为源极S和漏极D，剩下的管脚就是栅极G。如果是4个管脚的结型场效应管，另外的一极则是使用中接地的屏蔽

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MOS管失效的原因及预防

MOS管失效的两个主要原因： 电压失效：即漏源间的BVdss电压超过MOS管额定电压，达到一定容量，造成MOS管失效。

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MOS管发热严重怎么解决？

做电源电路，或是做推动领域的电源电路，免不了要使用MOS管。MOS管有很多类型，也是有许多功效。做开关电源或是推动的应用，自然便是用它的开关功效。

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MOS管的导通特点

MOS管导通的意思就是将其做为开关，等同于开关合闭....尽管PMOS能够很便捷的作为高档驱动，但因为导通电阻器大、价钱成本高、更换类型少等缘故，在高档驱动中，一般都用NMOS。

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场效应管的工作特性

功率MOSFET场效应管是较为常用的一类功率器件，中文全名是——金属氧化物半导体场效应管。它属于一种功率输出的器件，主要由金属、氧化物还有半导体三种材料构成。那么什么是功率MOSFET场效应管呢？

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MOS管无效的原因分析

现阶段在行业的应用方面，应用排名第一的是消费类电子器件适配器商品。排名第二的是电脑主板、电脑适配器、LCD显示器等商品。排名第三的是通信网络、工业控制系统、汽车电子产品及其他电气设备行业。这些个产品对于MOS管的需求也是非常大的，尤其是如今汽车电子产品对于MOS管的需求都已经出现赶超消费类电子器件的需求了。

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场效应管的参数分析与测量

场效应管的主要参数有很多种，其中包含直流电流、交流电流的参数和极限参数，但一般应用时只需关心下列基本参数：饱和状态的漏源电流量IDSS夹断电压Up，跨导gm、漏源击穿电压BUDS、较大损耗输出功率PDSM和较大漏源电流量IDSM。

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关于MOS管的驱动

对于MOS管的结构来说，我们可以发现在GS、GD里会有一些寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容充电和放电。对于电容的充电我们只需要一个电流就够了，由于电容在充电的瞬间相当于可以把电容当做是短路，这个时候的瞬间电流会比一般情况下数值要高一些。

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MOS管和晶体管的并联理论

关于晶体管与MOS管并联基础理论：首先晶体管有着负指数的温度值，也就是说当晶体管本身的温度上升的时候，通断电阻就会变小。其次MOS管跟晶体管相反有着正指数的温度值，也就是说当温度上升的时候，通断电阻会慢慢变大。

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mosfet管的应用电路情况

在用 mosfet管设计开关电源或电机驱动电路时，大多数人会考虑 mos 晶体管的导通电阻、最大电压和最大电流，但他们也只考虑这些因素。这样的电路虽然可以工作，但它不是一个高质量的电路，也不允许作为正式的产品设计。

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场效应管的分类特点

场效应管（FET）因其高输入电阻、低噪、热平稳、集成化的优势在电子线路及其大电流量、大工作电压电源电路中运用十分广泛；

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