小电流MOS管保持电路制作应用

发布日期:2019-06-12 点击次数:12
        解决现有的小电流MOS管保持电路结构单一并且复杂的问题。现提供MOS管保持电路。MOS管保持电路,它包括电阻R1-R6、电解电容C1-C3、电容C4、PNP三极管VD1、二极管D1-D2、中间继电器K1、电压比较器、双时基集成芯片NE556和MOS管Q1,双时基集成芯片NE556的6号引脚作为信号输入端,电阻R1的一端同时连接双时基集成芯片NE556的14号引脚、电阻R2的一端、电阻R4的一端、PNP三极管VD1的发射极、MOS管Q1的漏极和直流电源,电阻R1的另一端同时连接双时基集成芯片NE556的1号引脚、双时基集成芯片NE556的2号引脚、电解电容C1的正极和中间继电器K1常闭触点K1-1的一端,中间继电器K1常闭触点K1-1的另一端、电解电容C1的负极和电容C3的一端均连接电源地,电容C3的另一端连接双时基集成芯片NE556的3号引脚,双时基集成芯片NE556的4号引脚同时连接电解电容C2的正极和电阻R2的另一端,电解电容C2的负极连接电源地,双时基集成芯片NE556的5号引脚连接电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接电压比较器的正相输入端,电压比较器的负相输入端同时连接二极管D1的正极和电阻R4的另一端,二极管D1的负极连接电源地,电压比较器的输出端连接电阻R5的一端,电阻R5的另一端连接PNP三极管VD1的基极,PNP三极管VD1的集电极连接二极管D2的正极,二极管D2的负极同时连接电阻R6的一端、电容C4的一端和MOS管的栅极,电阻R6的另一端、电容C4的另一端和中间继电器K1的一端均连接电源地,中间继电器K1的另一端连接MOS管的源极。
 
       MOS管保持电路,当A提供一个置低的触发信号时,此时双时基集成芯片NE556置位,双时基集成芯片NE556的5号引脚输出高电平,高电平进入电压比较器的正相输入端,电压比较器的负相输入端由电阻R4和二极管D1提供基准电压,此时电压比较器输出高电平,高电平使三极管VD1导通,从三极管VD1集电极流出的电流通过二极管D2给电容C4充电,同时MOS管Q1导通,此时,中间继电器K1线圈吸合,中间继电器K1常闭触点K 1-1断开,中间继电器K1常闭触点K 1-1断开后,直流电源向双时基集成芯片NE556的1脚和2脚提供的供电电压被储存,直到双时基集成芯NE556的1脚和2脚上的电压充至2/3电源电压时,双时基集成芯片NE556自动复位,双时基集成芯片NE556的5脚自动恢复低电平,后续电路不工作,而此时,电容C4放电维持MOS管Q1导通,直到电容C4放电结束,中间继电器K1线圈释放,中间继电器K1常闭触点K 11闭合,此时通过闭合的中间继电器K1常闭触点K 1-1将双时基集成芯片NE556的1脚和2脚上的电压释放掉,为下一次给双时基集成芯片NE556的6号引脚提供置低的触发信号,从而使双时基集成芯片NE556置位做准备。
本申请的电路结构简单并且新颖,当双时基集成芯片NE556的1脚和2脚充电至2/3电源电压时,双时基集成芯片NE556能够自动复位,双时基集成芯片NE556的5脚自动恢复低电平,使后续电路不工作,从而自动停止对电容C4的充电,并在停止充电后由电容C4维持MOS管Q1导通,本申请能够持续保持MOS管Q1导通3秒。
        包括电阻R1-R6、电解电容C1-C3、电容C4、PNP三极管VD1、二极管D1-D2、中间继电器K1、电压比较器、双时基集成芯片NE556和MOS管Q1,
双时基集成芯片NE556的6号引脚作为信号输入端,电阻R1的一端同时连接双时基集成芯片NE556的14号引脚、电阻R2的一端、电阻R4的一端、PNP三极管VD1的发射极、MOS管Q1的漏极和直流电源,电阻R1的另一端同时连接双时基集成芯片NE556的1号引脚、双时基集成芯片NE556的2号引脚、电解电容C1的正极和中间继电器K1常闭触点K1-1的一端,中间继电器K1常闭触点K1-1的另一端、电解电容C1的负极和电容C3的一端均连接电源地,电容C3的另一端连接双时基集成芯片NE556的3号引脚,双时基集成芯片NE556的4号引脚同时连接电解电容C2的正极和电阻R2的另一端,电解电容C2的负极连接电源地,双时基集成芯片NE556的5号引脚连接电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接电压比较器的正相输入端,电压比较器的负相输入端同时连接二极管D1的正极和电阻R4的另一端,二极管D1的负极连接电源地,电压比较器的输出端连接电阻R5的一端,电阻R5的另一端连接PNP三极管VD1的基极,PNP三极管VD1的集电极连接二极管D2的正极,二极管D2的负极同时连接电阻R6的一端、电容C4的一端和MOS管的栅极,电阻R6的另一端、电容C4的另一端和中间继电器K1的一端均连接电源地,中间继电器K1的另一端连接MOS管的源极。
具体实施方式二:本实施方式是对具体实施方式一所述的MOS管保持电路作进一步说明,本实施方式中,电压比较器的型号为LM358。
                             
      什么样的工作原理呢?当A提供一个置低的触发信号时,此时双时基集成芯片NE556置位,双时基集成芯片NE556的5号引脚输出高电平,高电平进入电压比较器的正相输入端,电压比较器的负相输入端由电阻R4和二极管D1提供基准电压,此时电压比较器输出高电平,高电平使三极管VD1导通,从三极管VD1集电极流出的电流通过二极管D2给电容C4充电,同时MOS管Q1导通,此时,中间继电器K1线圈吸合,中间继电器K1常闭触点K 1-1断开,中间继电器K1常闭触点K 1-1断开后,直流电源向双时基集成芯片NE556的1脚和2脚提供的供电电压被储存,直到双时基集成芯片NE556的1脚和2脚上的电压充至2/3电源电压时,双时基集成芯片NE556自动复位,双时基集成芯片NE556的5脚自动恢复低电平,后续电路不工作,而此时,电容C4放电维持MOS管Q1导通,直到电容C4放电结束,中间继电器K1线圈释放,中间继电器K1常闭触点K 1-1闭合,此时通过闭合的中间继电器K1常闭触点K 1-1将双时基集成芯片NE556的1脚和2脚上的电压释放掉,为下一次给双时基集成芯片NE556的6号引脚提供置低的触发信号,从而使双时基集成芯片NE556置位做准备。
           想要了解更多MOS管的应用,和解决办法请联系冠华伟业!
  • 上一篇:大封装MOS管设计知识  2019/06/24
  • 下一篇:功率MOS管在主板开发设计中的重要性  2019/06/10