有效的实现低阈值小电压mos管

比如，现在需要一种工艺能提供两种不同阈值电压Vt的NMOS管，通常的做法 是在工艺过程中对某一阈值电压Vt的MOS管的沟道区域进行一次额外离子注入，这样，就 需多制一层

版，多进行一次光刻，如还需要不同阈值电压Vt的PM0S，则还需额外的制版和 光刻，所需成本和制造周期均增加了。

发明内容

针对现有技术中的不足提出一种有效的实现低阈值电压MOS 器件的方法，其通过改变原有器件的层次和结构，可在不增加制版和光刻的前提下实现低 阈值电压Vt MOS管的制作。为

实现发明目的，本发明采用了如下技术方案一种有效的实现低阈值电压MOS器件的方法，其特征在于，该方法为在形成MOS 器件的过程中，修改MOS管版图结构，令MOS器件只使用N阱

或P阱的注入作为沟道的掺杂， 降低沟道浓度，实现MOS管阈值电压Vt的降低。进一步地讲，该方法具体为对于NMOS或PMOS器件，在需要低阈值电压Vt器件处，去除MOS管中gate区域

的 Nplus或Pplus，P注入和N+的注入或N注入和P+的注入均只在器件源极与漏极进行，沟 道区域只有P-或N-的注入。与现有技术相比，本发明具有下列优点该实现低阈值电压MOS器

件的方法操作 简单，容易实现，可降低低阈值电压MOS器件的制造成本，并缩短生产周期。现有技术中NMOS的结构示意图；为现有技术NMOS剖面结构示意图；发明一较佳实施例中低

阈值电压MOS器件的结构示意图。

具体实施例方式

在典型的CMOS工艺中，NMOS的结构，在该器件中，主要的注入有3 种p-注入，P型注入以及N+注入；P-注入用以形成P阱，同时也是MOS管B端。它使用版图中的Pwell层制版。P-决定

了器件衬底的电荷浓度，亦是沟道浓度。P型注入用以调节沟道电荷浓度，作调节器件阈值电压Vt用。使用版图中的Nplus 版。该层增大了沟道的电荷浓度，使沟道形成反型更难，

上调了阈值电压vt。N+注入用以形成MOS器件源漏。也使用版图中的Nplus版。由于此次注入在多晶 硅栅之后，被硅栅所阻挡，沟道区域没有注入，因此它与器件的阈值电压Vt无

关。由上所知，在形成上述器件的过程中，Nplus版使用了 2次，一次作为调节沟道离 子浓度的注入，一次作为形成器件源极与漏极的注入。本发明通过改变了该器件的结构，在改

变沟道浓度的同时，保持了原有器件源端 和漏端的离子浓度，实现了低阈值电压的器件，，即在需要低阈值电压Vt器件的地方，去除了 MOS管中gate区域的Nplus。P注入和 N+的注

入都只在器件源漏进行，沟道区域只有P-的注入，阈值电压Vt只由P-注入的电荷 浓度决定，自然就减小了。而源极漏极区域仍和原有器件一样，没有影响。对于PMOS器件同样只要

除去相应的Pplus即可实现Vt的降低。本发明可运用于所有需要低阈值电压Vt MOS器件电路中。比如，若某电路中需一 电容，加在其两端电压在0. 7V，如使用典型工艺低阈值电压

Vt为0. 7V左右的MOS管作为电 容，则该MOS工作在耗尽区或弱反型区域，电容量将急剧减小，可能影响电路正常工作。在 此只需使用由本发明所实现的低阈值电压VtMOS管，使该器

件在0. 7V时处在反型状态，即 可保持MOS管有足够的电容量。以上仅是本发明的具体应用范例，对本发明的保护范围不构成任何限制。凡采用 等同变换或者等效替换而形成的技术

方案，均落在本发明权利保护范围之。

实现低阈值电压MOS器件的方法，其特征在于，该方法为在形成MOS器 件的过程中，令MOS器件只使用N阱或P阱的注入作为沟道的掺杂，降低沟道浓度，实现MOS 管阈值电压Vt的降

低。根据权利要求有效的实现低阈值电压MOS器件的方法，其特征在于，该方法 具体为对于NMOS或PMOS器件，在需要低阈值电压Vt器件处，去除MOS管中gate区域的Nplus 或Pplus，

P注入和N+的注入或N注入和P+的注入均只在MOS器件源漏(源极与漏极)进 行，沟道区域只有P-或N-的注入。 在形成MOS器件的过程中，令MOS器件只使用N阱或P阱的注入作为沟道的

掺杂，降低沟道浓度，实现MOS管阈值电压Vt的降低。进一步的讲，该方法为对于NMOS或PMOS器件，在需要低阈值电压Vt器件处，去除MOS管中gate区域的Nplus或Pplus，P注入和

N+的注入或N注入和P+的注入均只在MOS器件源极和漏极进行，沟道区域只有P-或N-的注入。本发明具有下列优点操作简单，容易实现，可降低低阈值电压MOS器件的制造成本，并缩

短生产周期。