小电流MOS管保持电路制作应用

MOS管保持电路，它包括电阻R1-R6、电解电容C1-C3、电容C4、PNP三极管VD1、二极管D1-D2、中间继电器K1、电压比较器、双时基集成芯片NE556和MOS管Q1，双时基集成芯片NE556

的6号引脚作为信号输入端，电阻R1的一端同时连接双时基集成芯片NE556的14号引脚、电阻R2的一端、电阻R4的一端、PNP三极管VD1的发射极、MOS管Q1的漏极和直流电源，电阻R1

的另一端同时连接双时基集成芯片NE556的1号引脚、双时基集成芯片NE556的2号引脚、电解电容C1的正极和中间继电器K1常闭触点K1-1的一端，中间继电器K1常闭触点K1-1的另一

端、电解电容C1的负极和电容C3的一端均连接电源地，电容C3的另一端连接双时基集成芯片NE556的3号引脚，双时基集成芯片NE556的4号引脚同时连接电解电容C2的正极和电阻R2的

另一端，电解电容C2的负极连接电源地，双时基集成芯片NE556的5号引脚连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接电压比较器的正相输入端，电压比较器的负相输入端同时连接二极

管D1的正极和电阻R4的另一端，二极管D1的负极连接电源地，电压比较器的输出端连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接PNP三极管VD1的基极，PNP三极管VD1的集电极连接二极管

D2的正极，二极管D2的负极同时连接电阻R6的一端、电容C4的一端和MOS管的栅极，电阻R6的另一端、电容C4的另一端和中间继电器K1的一端均连接电源地，中间继电器K1的另一端

连接MOS管的源极。

MOS管保持电路，当A提供一个置低的触发信号时，此时双时基集成芯片NE556置位，双时基集成芯片NE556的5号引脚输出高电平，高电平进入电压比较器的正相输入端，电压比较器

的负相输入端由电阻R4和二极管D1提供基准电压，此时电压比较器输出高电平，高电平使三极管VD1导通，从三极管VD1集电极流出的电流通过二极管D2给电容C4充电，同时MOS管Q1

导通，此时，中间继电器K1线圈吸合，中间继电器K1常闭触点K 1-1断开，中间继电器K1常闭触点K 1-1断开后，直流电源向双时基集成芯片NE556的1脚和2脚提供的供电电压被储

存，直到双时基集成芯NE556的1脚和2脚上的电压充至2/3电源电压时，双时基集成芯片NE556自动复位，双时基集成芯片NE556的5脚自动恢复低电平，后续电路不工作，而此时，电

容C4放电维持MOS管Q1导通，直到电容C4放电结束，中间继电器K1线圈释放，中间继电器K1常闭触点K 11闭合，此时通过闭合的中间继电器K1常闭触点K 1-1将双时基集成芯片NE556

的1脚和2脚上的电压释放掉，为下一次给双时基集成芯片NE556的6号引脚提供置低的触发信号，从而使双时基集成芯片NE556置位做准备。

本申请的电路结构简单并且新颖，当双时基集成芯片NE556的1脚和2脚充电至2/3电源电压时，双时基集成芯片NE556能够自动复位，双时基集成芯片NE556的5脚自动恢复低电平，使

后续电路不工作，从而自动停止对电容C4的充电，并在停止充电后由电容C4维持MOS管Q1导通，本申请能够持续保持MOS管Q1导通3秒。

包括电阻R1-R6、电解电容C1-C3、电容C4、PNP三极管VD1、二极管D1-D2、中间继电器K1、电压比较器、双时基集成芯片NE556和MOS管Q1，

双时基集成芯片NE556的6号引脚作为信号输入端，电阻R1的一端同时连接双时基集成芯片NE556的14号引脚、电阻R2的一端、电阻R4的一端、PNP三极管VD1的发射极、MOS管Q1的漏极

和直流电源，电阻R1的另一端同时连接双时基集成芯片NE556的1号引脚、双时基集成芯片NE556的2号引脚、电解电容C1的正极和中间继电器K1常闭触点K1-1的一端，中间继电器K1常

闭触点K1-1的另一端、电解电容C1的负极和电容C3的一端均连接电源地，电容C3的另一端连接双时基集成芯片NE556的3号引脚，双时基集成芯片NE556的4号引脚同时连接电解电容C2

的正极和电阻R2的另一端，电解电容C2的负极连接电源地，双时基集成芯片NE556的5号引脚连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接电压比较器的正相输入端，电压比较器的负相输

入端同时连接二极管D1的正极和电阻R4的另一端，二极管D1的负极连接电源地，电压比较器的输出端连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接PNP三极管VD1的基极，PNP三极管VD1的

集电极连接二极管D2的正极，二极管D2的负极同时连接电阻R6的一端、电容C4的一端和MOS管的栅极，电阻R6的另一端、电容C4的另一端和中间继电器K1的一端均连接电源地，中间

继电器K1的另一端连接MOS管的源极。

具体实施方式二：本实施方式是对具体实施方式一所述的MOS管保持电路作进一步说明，本实施方式中，电压比较器的型号为LM358。

                               

什么样的工作原理呢？当A提供一个置低的触发信号时，此时双时基集成芯片NE556置位，双时基集成芯片NE556的5号引脚输出高电平，高电平进入电压比较器的正相输入端，电压比

较器的负相输入端由电阻R4和二极管D1提供基准电压，此时电压比较器输出高电平，高电平使三极管VD1导通，从三极管VD1集电极流出的电流通过二极管D2给电容C4充电，同时MOS

管Q1导通，此时，中间继电器K1线圈吸合，中间继电器K1常闭触点K 1-1断开，中间继电器K1常闭触点K 1-1断开后，直流电源向双时基集成芯片NE556的1脚和2脚提供的供电电压被

储存，直到双时基集成芯片NE556的1脚和2脚上的电压充至2/3电源电压时，双时基集成芯片NE556自动复位，双时基集成芯片NE556的5脚自动恢复低电平，后续电路不工作，而此

时，电容C4放电维持MOS管Q1导通，直到电容C4放电结束，中间继电器K1线圈释放，中间继电器K1常闭触点K 1-1闭合，此时通过闭合的中间继电器K1常闭触点K 1-1将双时基集成芯

片NE556的1脚和2脚上的电压释放掉，为下一次给双时基集成芯片NE556的6号引脚提供置低的触发信号，从而使双时基集成芯片NE556置位做准备。

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