大电流场效应管功放制作

而当时这种器件即便在日本本国也很难购买得到，而在国内就更加无法目睹其芳容了。天龙功放亦将其功放管的型号磨去、煞有其事的打上自己编制的型号，就更让人觉得高深莫测

了。场效应管功放以其温暖、甜润、松软而被发烧友推崇备至，然而，由于其输出电阻大、承受电流小而低频疲软、推力不足的毛病却挥之不去，如很多对管并联虽然改善了低频，但

一方面造价成倍增长，二方面场效应管的配对在业内也是个难题。如金嗓子A-100每声道采用10对场效应管并联输出，虽然声音堪称完美，但其价格之高，也仅仅成为了一台概念机、形

象机。十几年过去了，当年高深莫测的UHC-mos而今已成了大路货，如2sk851、2sk2967等新的10多元一个、而拆机的才2、3元一个，已经沦落到白菜价的水平了，真的是此一时、彼一

时啊。为圆笔者一直的梦想，笔者踏破铁鞋，参阅众多电路，发现的确这种器件的成品电路不仅少，而且多有错漏，只得自己设计电路制作。为方便起见，通电后先检查输出端直流电

位在10mv以下。将可变电阻调到最大，再逐步调小，让发射极0.22欧电阻电压为5mV左右，这时每管电流约25ma即可。再检查中点电位在10mv以下即可开声

              

机器一开声就有一种让人振奋的感觉，高音透明度极高，音场开阔、堂音丰富。人声极为亲切感人，而低频结实有力，硬度十足。声音却提高了几个档次，内心激动啊。音乐味、细

腻度比日立、东芝场效应管有过之而无不及，特别是透明度高，而低音的力度比东芝管结实的多，和三肯管比感觉霸气少了点，但量感大，硬度足，控制力好。一对管可比美3、4对

并联的效果。 管子看上去其貌不扬，但声音的确有惊人的表现，买的k851是拆机的，开启电压在3.2V左右，加上几个电阻。却享受到高级机种才有的效果，拆机的管子没有做配对

工作，由于静态电流只有20ma已经很好声，目前室温15度，散热器即便在很大音量基本感觉不到热量。只有简单的温度补偿，暂时没感觉到问题。夏天温度可能高些，准备把温补管

和大管固定在一起，只要不把静态电流调的很大，应该没问题。其实发烧友DIY搞甲类机，一是满足心理需要，二是被一些概念机误导了。其实甲类更多只是一个概念。因为现在的

功率管高频开关特性已经非常理想了，甲乙类机加上负反馈，失真做到0.02%以下易如反掌。可以说正常的人耳是听不出甲类乙类的区别的。相反，由于发烧友条件有限DIY甲类机不

仅机内温度高、所有器件的寿命大打折扣，而且电容、晶体管等元器件在这种恶劣环境下特性变差，反而失真更大。甲类和乙类声音会有区别，但是不是声音就变好了，其实绝对是

一个疑问。

高速大电流的功率场效应管驱动电路，包括驱动前置电路、图腾柱电路、驱动后置电路，所述的驱动前置电路包括电容C1，电阻R1、R2、R3，二极管D1以及三极管T1、T2；所述的图

腾柱电路包括二极管D2、D3，电阻R4~R11，电容C2以及场效应管Q1和Q2；所述的驱动后置电路包括电阻R12~R13，二极管D4和D5、电容C3、场效应管Q3；驱动前置电路与驱动信号Vg

相连，驱动后置电路与驱动对象Q3相连，图腾柱电路连接在驱动前置电路与驱动后置电路之间。该驱动电路结构简单、成本低廉，输出电流大、带负载能力强，可以满足特定情况下

对场效应管高速低压大电流驱动的要求。随着电力半导体器件的发展，已经出现了各种各样的全控型器件，最常用的有适用于大功率场合的大功率晶体管(GTR)、适用于中小功率场

合但快速性较好的功率场效应晶体管(MOSFET)以及结合GTR和功率MOSFET而产生的功率绝缘栅控双极晶体管。

这些开关器件中，功率MOSFET由于开关速度快、驱动功率小、易并联等优点成为开关电源中最常用的器件。尤其在为计算机、交换机、网络服务器等通信电子设备提供能量的低压大

电流开关电源中，由于其特殊要求，通常希望功率开关器件具有导通电流大、通态电阻低等特点，而对器件能承受的关断电压要求并不高。这样的器件已经陆续出现，如富士公司的

2SK2690，IR 公司的 IRF7822，IRFBL3703 等。

[0004]目前已有的这些专用驱动功率MOSFET和IGBT的集成驱动电路，不能满足高频且带负载能力极强的应用场合，如如EXB841速度太慢，最大开关频率只能达到40?50kHz，而IR2110

和TPS2812输出最大电流仅2A。

MOS管Ql和Q2都是功率MOS管，为了使输出驱动波形具有陡峭的上升沿和下降沿，MOS管Ql和Q2的开通关断时间应尽可能短。为保证MOS管Ql和Q2开通、关断时间短，必须使它们有快速

充电回路，即PNP型三极管Τ2开通，NPN型三极管Tl关断，或快速放电回路，即PNP型三极管Τ2开通，NPN型三极管Tl关断，为得到快速的充放电回路，则必须尽量减小R4?R7的阻

值，同时二极管Dl?D3均应使用快速二极管。为保证场效应管Ql和Q2不会直通，输出由低电平变为高电平时，应使N通道型MOS管Q2在P型通道MOS管Ql之前放电完毕，即在Q2关断之后

Ql才开通；与此相应，当输出由高电平变为低电平时，应使MOS管Q2在Ql之前充电至门槛值，即在Ql关断之后Q2才开通。因此电路中电阻R4、R5的取值应比R6、R7小。

                   

在得到了足够快的上升和下降速度的触发脉冲后，还应保证开通时以低电阻对栅极电容充电，关断时为栅极提供低电阻放电回路。因此在图1所示电路中，组成充电回路的电阻Rio、

R12

及组成放电回路的电阻Rll、R12均应较小。高速大电流的功率场效应管驱动电路，其特征在于，包括驱动前置电路、图腾柱电路、驱动后置电路，所述的驱动前置电路与驱动信号Vg

相

连，所述驱动后置电路与驱动对象Q3相连，所述图腾柱电路连接在驱动前置电路与驱动后置电路之间；所述的驱动前置电路由电容Cl，电阻Rl、R2、R3，二极管Dl以及三极管Tl、T2组

成，所述的电容Cl接在驱动信号Vg与三极管T2的基极之间；所述的电阻Rl与电容Cl并联，所述的电阻R2接在三极管T2基极与发射极之间，所述的电阻R3接在三极管Tl的发射极与基极之

间；所述的防反二极管Dl正极与三极管Tl的集电极相连，Dl负极与三极管T2集电极相连；所述三极管Tl为NPN型三极管，Tl的发射极与+12V的电压相连，所述的三极管T2为PNP型三极

管。