MOS管和晶体管的并联理论
发布日期:2021-08-04
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关于晶体管与MOS管并联基础理论：首先晶体管有着负指数的温度值，也就是说当晶体管本身的温度上升的时候，通断电阻就会变小。其次MOS管跟晶体管相反有着正指数的温度值，也就是说当温度上升的时候，通断电阻会慢慢变大。
相较于晶体管来说，MOS管的特点其实更加合适并联电源电路中的均流。所以当电源电路中的电流比较大的时候，我们一般都建议选用并联MOS管的方式进行分流。当我们选用MOS管来对电流进行均流时，并且在其中一路的电流超过另一路的MOS管电流时，电流大的MOS管造成的热量多，进而会造成通断电阻变大，减少降低的电流；MOS管之间依据电流的差异来不断调整，最后可以实现俩MOS管之间的电流平衡。.jpg)
其中我们需要注意：晶体管还可以根据并联来完成大电流的商品流通，不过这时还需要根据在基极串连驱动电阻来处理每个并联晶体管中间的电流平衡难题。
晶体管并联的常见问题：
（1）、每个晶体管的栅极不可以直接相接，要各自串连驱动电阻来开展驱动，以此避免震荡。
（2）、要操纵每个晶体管（MOS管）的打开時间和关闭時间保持一致，由于假如不一致，先打开的管道或后关闭的管道会因为电流过大而穿透毁坏。
（3）、最后我们最好能在每个晶体管的源极串连均流电阻，当然这也不是必须要做的，只是为了以防万一。
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相较于晶体管来说，MOS管的特点其实更加合适并联电源电路中的均流。所以当电源电路中的电流比较大的时候，我们一般都建议选用并联MOS管的方式进行分流。当我们选用MOS管来对电流进行均流时，并且在其中一路的电流超过另一路的MOS管电流时，电流大的MOS管造成的热量多，进而会造成通断电阻变大，减少降低的电流；MOS管之间依据电流的差异来不断调整，最后可以实现俩MOS管之间的电流平衡。
晶体管并联的常见问题：
（1）、每个晶体管的栅极不可以直接相接，要各自串连驱动电阻来开展驱动，以此避免震荡。
（2）、要操纵每个晶体管（MOS管）的打开時间和关闭時间保持一致，由于假如不一致，先打开的管道或后关闭的管道会因为电流过大而穿透毁坏。
（3）、最后我们最好能在每个晶体管的源极串连均流电阻，当然这也不是必须要做的，只是为了以防万一。
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