小封装MOS管和DCDC升压转换器的主要参数是什么？

主要参数记住以下几点：

 Idss ：饱和漏源电流，是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流

 Up ：夹断电压，是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压.

 Ut ：开启电压，是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压

 gM ：跨导， 此乃衡量场效应管放大能力的重要参数.

 BVDS ：漏源击穿电压，是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的漏源电压

 PDSM：耗散功率，也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率

 IDSM ： 漏源电流，是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的电流 DC/DC转换器是一种开关型稳压电源，一般分为四种：

（1） 极性反转式：其特点是输出电压的极性正好与输入电压相反。特点是Vo=－VI，二者的值相同。除此之外，mos管小封装，还有输出固定负压、可调负压两种。

（2） 其特征是VO>VI，变换器具有提升电源电压的作用。

（3） 利用变换器来降低电源电压，使VO<VI 。

（4） 低压差集成稳压器。这类集成稳压器的输入－输出压差低于0.5～0.6V，甚至在0.1V左右的压差下已能正常工作，能显示提高稳压电源的效率。

功率MOS管可否串联使用呢?

同类型的不可以串接一起，MOS会被击穿，但一般会把MOS并在一起增加导通电流。

MOSFET的VGS耐压一般都会大幅度低于VDS耐压，以目前较常见的75N75为例，VDS耐压75V，电流75A，但VGS耐压只有20V。串接后，从上到下四个节点依次是上端MOS的Drain（D1），

上端MOS??的Source（S1)，下端MOS的D2（和S1相连），下端MOS的S2，两MOS的GATE G1G2相连，G1G2给高压打开MOS的时候没什么大问题，内阻小，在DS端形成的电压也低。但关断

后即VGS1=VGS2=0V，此时MOS两端的电压和会等于你所加的系统电压，假如是120V，理论上，VDS1会等于VDS2等于60V，即两个MOS形成分压，从上到下的电势依次为D1，120V；S1，

60V；D2，mos管，60V；S2，0V。而此时，G1G2等于0V，VGS1的电压就是-60V，MOS栅极会被击穿烧毁。