MOS管失效的原因及预防

MOS管失效的两个主要原因：

电压失效：即漏源间的BVdss电压超过MOS管额定电压，达到一定容量，造成MOS管失效。

栅电压故障：栅极遭受异常电压尖峰，造成栅氧层故障。

崩塌故障(电压失效)

雪崩破坏到底是什么？简单地说，MOS管是由母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等与MOS管之间叠加而形成的故障模式。简而言之，即MOS管漏源极的电压超过了它规定的电压值，并且达到了某一能量极限时所产生的常见故障。

预防雪崩破坏的措施：

·适当降低用量。在这个行业里，通常会减少80%-95%。根据公司的保修条款及线路重点来选择。

·反光电压合理。

·RCD、TVS吸收电路设计合理。

·高电流接线应尽可能大，以减少寄生电感。

·选择合适的门电阻Rg。

·按需增加RC阻尼或齐纳二极管对大功率电源的吸收。

栅电压失效

造成栅电压异常高的主要原因有三个：生产、运输和装配过程中的静电；设备和电路寄生参数在电力系统运行过程中产生高压谐振；在高压冲击时，高压通过Ggd传输到电网(雷击测试时这种故障更为常见)。

预防门极电压故障的措施：

门极与源极之间的过电压保护：当栅极与源极的阻抗过高时，栅极和源极之间电压的突然变化通过电极间的电容耦合到栅极上，导致极高的UGS电压调节过度，导致栅极调节过度。永久性的氧化破坏。假如UGS在正向瞬变电压，设备也可能导致错误。在此基础上，应适当降低栅极驱动电路的阻抗，并在栅极与源极之间连接一个阻尼电阻或20V稳定电压。尤其要注意防止开门操作。

排放管之间的过电压保护：如果电路中有感应器，则当设备关闭时，泄漏电流(di/dt)的突然变化将导致泄漏电压超调，远高于电源电压，从而造成设备损坏。保护措施应该包括齐纳钳、RC钳或RC抑制电路。