微硕WINSOK场效应管新品WSD30L55DN33，助力手表无线充电器性能升级‌

在无线充电技术快速发展的当下，手表无线充电器的性能和效率成为了众多厂商关注的焦点。智能手表对体积、温升及充电效率极为敏感，微硕WINSOK场效应管新品WSD30L55DN33 双P沟道场效应管以15mΩ超低RDS(ON)、-30V -15A 能力DFN3x3封装，恰好满足5W-15W QI2接收端（Rx）同步整流与负载开关的双重需求。

 

一、市场趋势驱动产品需求

 

全球：无线充电整体市场2024年307亿美元，2032年预计达1722亿美元，CAGR 24.4%，其中可穿戴无线充电占比快速提升。主要驱动力：

1、可穿戴设备出货量持续攀升：2023 年中国可穿戴设备出货3470万台，智能手表1140万台，无线充电渗透率已超60%。

2、消费升级：1500元以上手表几乎全部标配无线充电，解决触点氧化、进水及造型复杂带来的接触不良问题。

3、便捷与多设备场景：消费者希望“一放即充”，多线圈、高功率、反向无线充成为卖点，推动发射端（底座、台灯、车载支架）同步放量。

 

无线充技术发展现状：

1、功率提升：手表端从2.5W快速向5W-15W演进，支持快充协议（WPC QI2/私有协议）。

2、小型化与集成化：DFN3x3封装场效应管、GaN驱动、超薄线圈使底座厚度<8 mm，可直接嵌入家具、车规中控面板。

3、隔空/远距离方案：目前已有实验室已展示30cm距离1W输出，预计2026年后小规模落地，进一步拓展使用场景。

 

 

传统TO-220和TO-263封装已难以满足这些需求，而本次微硕WINSOK正式宣布推出一款30V的双P沟道DFN3x3封装（WSD30L55DN33）高性能MOS管，凭借高效的热管理能力，为小型化、轻量化场景带来了新的解决方案。

 

二、产品信息基本概要

 

这是一款30V的中低压MOS管，采用的DFN3x3-8L封装，结壳热阻RθJC低达3℃/W，最大持续电流(ID)15A@Tc=25℃，RDS(ON)典型值为15mΩ，工作温度范围-55 To 150℃。同时，由于RDS(ON)和Qg的极低的组合，具有较小的导通电阻和栅极电荷，确保了导通和开关功率损耗均得以最小化，可提供最高效的高频开关性能，是专为无线充而设计的高可靠性、高品质和高性能器件。

 

 

 

三、DFN3x3封装的核心优势

 

DFN3x3封装的核心优势可概括为“小、快、冷、省”四个字，在功率器件、无线充、穿戴设备等高密度场景中已成为首选。

1、极致小型化

本体仅3mm x 3mm，厚度可低至0.8mm；与传统SOP-8、TO-252相比，占位缩小50 %以上，可直接贴在PCB背面或与线圈重叠布局，为手表无线充、TWS 充电仓、超薄笔电适配器释放宝贵空间。

2、优异热性能

底部裸露散热焊盘+双面散热框架专利技术，可把RθJC做到3℃/W及以下，连续电流15A-60A仍保持低温升。

3、低寄生、高频率

无引脚结构将栅极回路电感降至<1nH，Qg低至6-11nC，可轻松跑200kHz-1MHz开关频率；在无线充、DC-DC、电机驱动中同步整流损耗更小，EMI也更易通过。

4、自动化友好、可靠性高

平整的平面引脚适合SMT高速贴片，且焊接后爬锡高度一致，良率>99%；同时满足AEC-Q101 车规与RoHS绿色标准，适合消费电子、工业、汽车多领域大批量生产。

 

四、典型应用场景

 

1、接收线圈 AC-DC 同步整流

在Rx端，线圈经全桥同步整流后输出5V/1-3A。WSD30L55DN33每通道连续-15A（25℃）/-11A（100℃），可并联组成低损耗全桥，15mΩ导通电阻在3A下仅产生135mW损耗，效率提升2-3%。Qg典型7nC（4.5V驱动）允许200kHz-500kHz高频工作，缩小磁性元件体积。

 

 

 

2、输出OR-ing/路径管理

手表待机电流μA级，传统肖特基带来0.3V压降与反向漏电。利用WSD30L55DN33作理想二极管，VSD仅-0.7V，反向恢复11ns/2nC，可把反向漏电降到1µA以下，延长手表电池寿命。

 

五、结语

 

WSD30L55DN33 这款双P沟道场效应管凭借其超低导通电阻、快速开关能力和优异的散热性能，成为手表无线充电器的理想选择。通过合理的驱动设计、布局优化及热管理，可显著提升系统效率与可靠性，推动无线充电技术向更高功率、更小体积的方向发展。